三星电子开始采用EUV技术批量生产14纳米DRAM芯片

2021-10-12 来源： cnBeta 原文链接评论0条

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DDR5 是下一代 DRAM 标准，与 DDR4 相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特点。它还针对大数据、人工智能（AI）和机器学习等数据密集型应用进行了优化。

三星电子表示，EUV 技术减少了多图案绘制中的重复步骤，提高了图案绘制的准确性，从而实现了更好的性能和更高的产量，并缩短了开发时间。

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三星电子还称，即将开始量产 DDR5，并预计最新的工艺将使生产率提高 20%，能耗降低近 20%。利用最新的 DDR5 标准，三星 14 纳米 DRAM 将帮助解锁前所未有的高达 7.2Gbps 的速度，这是 DDR4 速度的 2 倍多。

三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Lee Joo-Young 称：“通过专注关键的图形技术创新，我们已经引领了 DRAM 市场近 30 年。今天，三星用多层 EUV 实现了另一个技术里程碑，这是传统的氟化氩 (ARF) 工艺所不可能实现的壮举。”

他补充说：“在这一进步的基础上，我们将继续提供差异化程度最高的内存解决方案，充分满足 5G、AI 和元宇宙等数据驱动型领域对更高性能和容量的需求。”

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